销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA14LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA14LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT3G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：96000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1111-AA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：700mA

功率：600mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@100μA，100mA

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@50mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13BU

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA14LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSP13TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA14LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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包装清单：商品主体 * 1