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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 工业
    阈值电压: 2.5V@250μA
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8870 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8870

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.16nF@15V

    连续漏极电流:21A€160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660DC

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.17nF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2573,"21+":974,"22+":8117,"23+":21000,"MI+":5270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660DC

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.17nF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660DC

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.17nF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订21000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订21000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8878 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:897pF@15V

    连续漏极电流:10.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8880

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@15V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@10V,11.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8880 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8880

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@15V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@10V,11.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1200,"21+":1650,"22+":2489,"24+":549}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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