品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:1490pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:22nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:458pF@16V
漏源电压:20V
功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:950pF@10V
栅极电荷:12.3nC@4.5V
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
功率:8.3W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1200pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:458pF@16V
漏源电压:20V
功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
连续漏极电流:281mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2376,"15+":1974,"16+":1480,"18+":88348,"19+":206928}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
功率:155mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:281mA
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1173pF@4V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNUS3171PZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:13pF@15V
漏源电压:20V
导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
功率:8.3W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1200pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":5546,"21+":6813,"22+":9964,"23+":14450,"MI+":7771}
规格型号(MPN):FDMC6688P
导通电阻:6.5mΩ@14A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:7435pF@10V
栅极电荷:61nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:14A€56A
功率:2.3W€30W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
类型:P沟道
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:640pF@8V
漏源电压:8V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":354,"22+":14000}
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:458pF@16V
漏源电压:20V
功率:170mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":72000}
规格型号(MPN):FDMC510P-F106
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:116nC@4.5V
输入电容:7860pF@10V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:2.3W€41W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC610P
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:99nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.4W€48W
输入电容:1250pF@6V
导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3405pF@6V
功率:2.4W
类型:P沟道
栅极电荷:29nC@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:458pF@16V
漏源电压:20V
功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
类型:P沟道
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
输入电容:640pF@8V
漏源电压:8V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY102PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:830mA
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
类型:P沟道
栅极电荷:3.1nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
功率:625mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3405pF@6V
功率:2.4W
类型:P沟道
栅极电荷:29nC@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.5nC@4.5V
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":9000}
规格型号(MPN):NTLUS3C18PZTBG
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1570pF@6V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1612
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1173pF@4V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC610P
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:99nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:2.4W€48W
ECCN:EAR99
输入电容:1250pF@6V
导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1173pF@4V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":33000,"19+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A39PZTBG
连续漏极电流:3.4A
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:10.4nC@4.5V
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3113PT1G
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1329pF@16V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: