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    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    输入电容:1490pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订4046个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订4046个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:860mA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:458pF@16V

    漏源电压:20V

    功率:170mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    输入电容:950pF@10V

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    功率:8.3W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1200pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:28nC@4.5V

    输入电容:2240pF@15V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:860mA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:458pF@16V

    漏源电压:20V

    功率:170mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A65PZT5G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A65PZT5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:44pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:155mW

    连续漏极电流:281mA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A65PZT5G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A65PZT5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2376,"15+":1974,"16+":1480,"18+":88348,"19+":206928}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:20V

    功率:155mW

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:281mA

    导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1173pF@4V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNUS3171PZT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNUS3171PZT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNUS3171PZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:13pF@15V

    漏源电压:20V

    导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF6P02T3G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    功率:8.3W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1200pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6688P 起订243个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6688P 起订243个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":5546,"21+":6813,"22+":9964,"23+":14450,"MI+":7771}

    规格型号(MPN):FDMC6688P

    导通电阻:6.5mΩ@14A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:7435pF@10V

    栅极电荷:61nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:14A€56A

    功率:2.3W€30W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:640pF@8V

    漏源电压:8V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":354,"22+":14000}

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    输入电容:2240pF@15V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:860mA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:458pF@16V

    漏源电压:20V

    功率:170mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC510P-F106 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC510P-F106 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":72000}

    规格型号(MPN):FDMC510P-F106

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:116nC@4.5V

    输入电容:7860pF@10V

    导通电阻:8mΩ@12A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:2.3W€41W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:12A€18A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC610P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC610P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC610P

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:99nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.4W€48W

    输入电容:1250pF@6V

    导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3405pF@6V

    功率:2.4W

    类型:P沟道

    栅极电荷:29nC@6V

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:860mA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:458pF@16V

    漏源电压:20V

    功率:170mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订37个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS2101PT1G 起订37个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS2101PT1G

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:640pF@8V

    漏源电压:8V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY102PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY102PZ

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:830mA

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    类型:P沟道

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3405pF@6V

    功率:2.4W

    类型:P沟道

    栅极电荷:29nC@6V

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9431A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    漏源电压:20V

    输入电容:405pF@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3C18PZTBG 起订822个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3C18PZTBG 起订822个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":9000}

    规格型号(MPN):NTLUS3C18PZTBG

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:1570pF@6V

    连续漏极电流:4.4A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:24mΩ@7A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:28nC@4.5V

    输入电容:2240pF@15V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:1612

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1173pF@4V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC610P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC610P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC610P

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:99nC@4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.4W€48W

    ECCN:EAR99

    输入电容:1250pF@6V

    导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1173pF@4V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A39PZTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A39PZTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":33000,"19+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A39PZTBG

    连续漏极电流:3.4A

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    输入电容:920pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PT1G 起订1690个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PT1G 起订1690个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PT1G

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:1329pF@16V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:3.5A

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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