品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€130A
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
栅极电荷:154nC@10V
输入电容:11530pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
连续漏极电流:32A€245A
栅极电荷:154nC@10V
功率:3.3W€187W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:231W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
阈值电压:4.5V@250µA
功率:3.1W€41W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
输入电容:815pF@40V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:6A€14A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
栅极电荷:154nC@10V
输入电容:11530pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:8.9A€49A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB150N10
阈值电压:4.5V@250µA
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:57A
输入电容:4760pF@25V
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB120N10
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:170W
输入电容:5605pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:74A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
功率:3.2W€70W
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:3.6A
输入电容:1228pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB150N10
阈值电压:4.5V@250µA
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:57A
输入电容:4760pF@25V
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":3935,"22+":2927}
规格型号(MPN):FDMS8D8N15C
功率:2.7W€132W
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:12.2A€85A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3600pF@75V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:8.8mΩ@45A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7600pF@40V
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
连续漏极电流:19.4A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3860
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€69W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.2A
栅极电荷:31nC@10V
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
输入电容:1740pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB120N10
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:170W
输入电容:5605pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:74A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS037N08B
功率:830mW€104.2W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:5915pF@37.5V
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€130A
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":241}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB150N10
阈值电压:4.5V@250µA
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:57A
输入电容:4760pF@25V
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:7005pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
连续漏极电流:24A€76A
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB86360-F085
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
输入电容:14600pF@25V
栅极电荷:253nC@10V
ECCN:EAR99
功率:333W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
连续漏极电流:17A€40A
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
输入电容:2790pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3860
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€69W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.2A
栅极电荷:31nC@10V
导通电阻:36mΩ@5.9A,10V
输入电容:1740pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:429W
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:9760pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:2mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:2640pF@40V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
连续漏极电流:10.5A€22A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350ET80
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€198A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:8030pF@40V
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
ECCN:EAR99
功率:3.3W€187W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:7005pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
连续漏极电流:24A€76A
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: