采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
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功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
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功率：71W
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：350}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP19N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@9.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：71W
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
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连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP19N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
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包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@9.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
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栅极电荷：40nC@10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：19A
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类型：N沟道
功率：71W
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
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功率：71W
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
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功率：71W
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连续漏极电流：19A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：350}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP19N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
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栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：71W
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
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类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
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栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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