品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
输入电容:960pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
漏源电压:35V
导通电阻:17mΩ@5A,10V
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L-L701
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STTFS015N10MCL
导通电阻:12.9mΩ@14A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1338pF@50V
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:10A€42A
阈值电压:3V@77µA
功率:2.5W€45W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS015N10MCLT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:1338pF@50V
栅极电荷:19nC@10V
功率:3W€79W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
阈值电压:3V@77µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:10.5A€54A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":6500}
规格型号(MPN):FDD86102
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W€62W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€36A
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1035pF@50V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:24mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NWFTAG
输入电容:1140pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
连续漏极电流:11A€68A
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@70µA
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2238}
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS015N10MCLT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:1338pF@50V
栅极电荷:19nC@10V
功率:3W€79W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
阈值电压:3V@77µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:10.5A€54A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L-L701
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W€62W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€36A
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1035pF@50V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:24mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG
输入电容:1140pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
连续漏极电流:11A€68A
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@70µA
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG
输入电容:1140pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
连续漏极电流:11A€68A
阈值电压:4V@70µA
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W€62W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€36A
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:1035pF@50V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:24mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NWFTAG
输入电容:1140pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
连续漏极电流:11A€68A
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@70µA
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NWFTAG
输入电容:1140pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
连续漏极电流:11A€68A
阈值电压:4V@70µA
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.2V@282µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@50V
连续漏极电流:10.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@50V
连续漏极电流:8A€36A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€24W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: