品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
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输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
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输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
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连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
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输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
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连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€38W
阈值电压:2V@26µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@40V
连续漏极电流:7A€25A
类型:N沟道
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G
阈值电压:2V@26µA
输入电容:521pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:10nC@10V
连续漏极电流:7A€25A
功率:3.2W€38W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: