采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP39N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：251W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@19.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP39N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：251W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@19.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2318}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF39N20TLDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@19.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8447L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP39N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：251W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@19.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF39N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
输入电容：2.13nF@25V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@10V，19.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2318}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF39N20TLDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@19.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
