品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMS5P02R2G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.25V @ 250µA
栅极电荷:35 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900 pF @ 16 V
连续漏极电流:3.95A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:33 毫欧 @ 5.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD78N03-1G
输入电容:2250 pF @ 12 V
栅极电荷:35 nC @ 4.5 V
漏源电压:25V
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 78A,10V
包装方式:管件
功率:1.4W(Ta),64W(Tc)
连续漏极电流:11.4A(Ta),78A(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMS5P02R2G
栅极电荷:35 nC @ 4.5 V
类型:P 通道
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33 毫欧 @ 5.4A,4.5V
连续漏极电流:3.95A(Ta)
漏源电压:20V
输入电容:1900 pF @ 16 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.25V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: