品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
输入电容:100pF@10V
栅极电荷:1.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:11A
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.8V@250μA
导通电阻:65mΩ@10V,5A
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:18+
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3375-TL-W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:295mΩ@10V,800mA
漏源电压:30V
功率:800mW
连续漏极电流:1.6A
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
规格型号(MPN):FDS6576
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
栅极电荷:60nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
输入电容:4.044nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:73pF@25V
栅极电荷:1.3nC@5V
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:50V
类型:1个P沟道
功率:225mW
连续漏极电流:130mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1A
输入电容:250pF@25V
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:330pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
栅极电荷:5nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:330pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
栅极电荷:5nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
连续漏极电流:180mA
栅极电荷:2.5nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:79pF@25V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1A
输入电容:250pF@25V
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
阈值电压:1.5V@250μA
输入电容:330pF@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:200mΩ@4.5V,1.3A
栅极电荷:5nC@4.5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
漏源电压:500V
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:73pF@25V
栅极电荷:1.3nC@5V
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:50V
类型:1个P沟道
功率:225mW
连续漏极电流:130mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
输入电容:100pF@10V
栅极电荷:1.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
包装方式:卷带(TR)
功率:2.1W
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:13A€55A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.37nF@20V
栅极电荷:63nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV304P
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:460mA
漏源电压:25V
导通电阻:1.1Ω@4.5V,500mA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:63pF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
规格型号(MPN):FDS6576
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
栅极电荷:60nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
漏源电压:20V
输入电容:4.044nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN338P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:451pF@10V
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:20V
导通电阻:115mΩ@4.5V,1.6A
类型:1个P沟道
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: