品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":2201,"08+":6490,"10+":6061}
规格型号(MPN):NTMD2C02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
导通电阻:43mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:1100pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.2A€3.4A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
连续漏极电流:540mA€430mA
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8690-TL-H
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.7A€3.5A
输入电容:955pF@20V€790pF@20V
工作温度:150℃
导通电阻:55mΩ@2A,10V
功率:1.5W
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6333C
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
类型:N和P沟道
连续漏极电流:2.5A€2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A€2.6A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2500}
规格型号(MPN):FDS8928A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.5A€4A
功率:900mW
漏源电压:30V€20V
导通电阻:30mΩ@5.5A,4.5V
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:900pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.6W€3.1W
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA€880mA
漏源电压:30V€20V
类型:N和P沟道
输入电容:33pF@5V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
功率:900mW
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":67862}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD1155LT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:1.3A
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4532DY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.9A€3.5A
功率:900mW
输入电容:235pF@10V
类型:N和P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:65mΩ@3.9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG8842CZ
输入电容:120pF@10V
漏源电压:30V€25V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:750mA€410mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8661-TL-H
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:24mΩ@3.5A,10V
功率:1.5W
连续漏极电流:7A€5.5A
ECCN:EAR99
输入电容:710pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:22+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
类型:N和P沟道
功率:300mW
连续漏极电流:700mA€600mA
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3100CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
输入电容:165pF@10V
功率:1.1W
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A€3.2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFC013NP10M5L
功率:2.7W€102W
连续漏极电流:9A€60A€5A€36A
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3V@158µA€4V@158µA
漏源电压:100V
输入电容:1345pF@50V€2443pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.6W€3.1W
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8097AC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:395pF@75V€230pF@75V
漏源电压:150V
类型:N和P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:155mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A€900mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1688948,"17+":1161}
规格型号(MPN):MCH6660-TL-H
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
输入电容:128pF@10V
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:2A€1.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7001C
输入电容:20pF@25V€66pF@25V
导通电阻:2Ω@510mA,10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:510mA€340mA
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3468}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6320C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
类型:N和P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
连续漏极电流:220mA€120mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4158CT1G
功率:270mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA€880mA
漏源电压:30V€20V
类型:N和P沟道
输入电容:33pF@5V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@10mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1032CZ
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.7A€3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":60000,"18+":27000,"9999":15000}
规格型号(MPN):EMH2604-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.2W
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:4A€3A
ECCN:EAR99
输入电容:345pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8958A
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@7A,10V
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A€5A
输入电容:575pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3102CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:4A€3.1A
漏源电压:20V
输入电容:510pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4105CT1G
漏源电压:20V€8V
功率:270mW
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:630mA€775mA
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:46pF@20V
导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: