品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:33mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.8A
功率:750mW
输入电容:1700pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2,"21+":1937}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6304P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:460mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
输入电容:62pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":28246}
规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
输入电容:13.5pF@15V
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":22847,"MI+":8000}
规格型号(MPN):NTUD3129PT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:140mA
功率:125mW
输入电容:12pF@15V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":20000}
规格型号(MPN):FDME1023PZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A
输入电容:750pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD2104PTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:467pF@6V
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9958
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:105mΩ@2.9A,10V
输入电容:1020pF@30V
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
输入电容:1233pF@15V
导通电阻:23mΩ@7A,10V
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4152PT2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:880mA
输入电容:155pF@20V
类型:2个P沟道(双)
功率:272mW
漏源电压:20V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":16318}
规格型号(MPN):NTLJD2104PTAG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:467pF@6V
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3023PZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V
输入电容:530pF@15V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7003P
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@340mA,10V
输入电容:66pF@25V
连续漏极电流:340mA
漏源电压:60V
功率:700mW
阈值电压:3.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:6.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":75000}
规格型号(MPN):FDC6304P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:460mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
输入电容:62pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD3P03R2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:2个P沟道(双)
功率:730mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
输入电容:394pF@30V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
功率:900mW
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6306P
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:441pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A
输入电容:750pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3023PZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V
输入电容:530pF@15V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6312P
导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
输入电容:467pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6304P
输入电容:62pF@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:460mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8654-TL-H
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@3A,4.5V
工作温度:150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:5A
漏源电压:20V
输入电容:960pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD3P03R2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:2个P沟道(双)
功率:730mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: