采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：500mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：235pF@10V
阈值电压：2V@250µA
功率：500mW
栅极电荷：5.9nC@5V
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"09+"：2332，"22+"：48000}
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2A
栅极电荷：9nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
输入电容：635pF@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：9nC@4.5V
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：2.2A
输入电容：300pF@10V
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
功率：500mW
类型：P沟道
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：10nC@10V
功率：500mW
输入电容：400pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"03+"：59600，"04+"：48000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V
功率：500mW
输入电阻：10千欧
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：235pF@10V
阈值电压：2V@250µA
功率：500mW
栅极电荷：5.9nC@5V
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
功率：500mW
类型：P沟道
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
输入电容：882pF@10V
栅极电荷：14nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：1312pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
输入电容：882pF@10V
栅极电荷：14nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：500mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，4.5V
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：500mW
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：10106，"21+"：8405，"22+"：26339，"24+"：30000，"MI+"：2932}
规格型号(MPN)：FDN357N
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：235pF@10V
阈值电压：2V@250µA
功率：500mW
栅极电荷：5.9nC@5V
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@4.5V
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：1312pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：300mΩ@10V，1A
输入电容：135pF@15V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：500mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
