品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1639
规格型号(MPN):MMBF170
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS7002A
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
输入电容:26.7pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6303N
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}
规格型号(MPN):FDG6335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:700mA
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N-F085P
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS7002A
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG8842CZ
输入电容:120pF@10V
漏源电压:30V€25V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:750mA€410mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVA4001NT1G
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
输入电容:20pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:238mA
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:22+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
类型:N和P沟道
功率:300mW
连续漏极电流:700mA€600mA
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2V7002KT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
功率:300mW
栅极电荷:0.7nC@4.5V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
输入电容:26.7pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS7002A
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5103NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
输入电容:40pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET7G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
输入电容:40pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1.82nC@4.5V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
输入电容:110pF@16V
阈值电压:1.1V@250µA
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
功率:300mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS7002A
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVA4001NT1G
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
输入电容:20pF@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:238mA
导通电阻:3Ω@10mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:150pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4153NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1.82nC@4.5V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
输入电容:110pF@16V
阈值电压:1.1V@250µA
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
功率:300mW
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVE4153NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1.82nC@4.5V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
输入电容:110pF@16V
阈值电压:1.1V@250µA
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
功率:300mW
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6303N
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
输入电容:26.7pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1639
规格型号(MPN):MMBF170
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:150pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5103NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
输入电容:40pF@25V
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTE4153NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1.82nC@4.5V
连续漏极电流:915mA
类型:N沟道
输入电容:110pF@16V
阈值电压:1.1V@250µA
导通电阻:230mΩ@600mA,4.5V
功率:300mW
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: