销售单位：个

规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

导通电阻：800mΩ@200mA，10V

输入电容：70pF@5V

连续漏极电流：400mA

类型：P沟道

漏源电压：20V

栅极电荷：2.18nC@10V

功率：225mW

阈值电压：2.3V@250µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

晶体管类型：NPN

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：40V

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002LT1G

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

漏源电压：60V

连续漏极电流：115mA

功率：225mW

输入电容：50pF@25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002LT7G

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

漏源电压：60V

连续漏极电流：115mA

功率：225mW

输入电容：50pF@25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS138LT1G

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：200mA

工作温度：-55℃~150℃

漏源电压：50V

类型：N沟道

阈值电压：1.5V@1mA

功率：225mW

输入电容：50pF@25V

导通电阻：3.5Ω@200mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

晶体管类型：NPN

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：40V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBF170LT1G

包装方式：卷带（TR）

输入电容：60pF@10V

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：500mA

类型：N沟道

阈值电压：3V@1mA

漏源电压：60V

导通电阻：5Ω@200mA，10V

ECCN：EAR99

功率：225mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS84

包装方式：卷带（TR）

阈值电压：2.5V@250μA

输入电容：73pF@25V

栅极电荷：1.3nC@5V

导通电阻：8Ω@150mA，10V

漏源电压：50V

类型：1个P沟道

功率：225mW

连续漏极电流：130mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBF170LT1G

导通电阻：5Ω@200mA，10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：60pF@10V

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：500mA

类型：N沟道

阈值电压：3V@1mA

漏源电压：60V

功率：225mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002LT3G

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

漏源电压：60V

连续漏极电流：115mA

功率：225mW

输入电容：50pF@25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002LT7G

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

漏源电压：60V

输入电容：50pF@25V

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

ECCN：EAR99

连续漏极电流：115mA

功率：225mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BVSS123LT1G

连续漏极电流：170mA

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

导通电阻：6Ω@100mA，10V

阈值电压：2.8V@1mA

类型：N沟道

漏源电压：100V

功率：225mW

输入电容：20pF@25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BVSS84LT1G

导通电阻：10Ω@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：36pF@5V

漏源电压：50V

连续漏极电流：130mA

阈值电压：2V@250µA

类型：P沟道

栅极电荷：2.2nC@10V

功率：225mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

晶体管类型：NPN

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：40V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2V7002LT1G

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

漏源电压：60V

连续漏极电流：115mA

功率：225mW

输入电容：50pF@25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA14LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBF170LT1G

导通电阻：5Ω@200mA，10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：60pF@10V

工作温度：-55℃~150℃

连续漏极电流：500mA

类型：N沟道

阈值电压：3V@1mA

漏源电压：60V

功率：225mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBF4416A

反向传输电容：0.8pF@15V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~+150℃

类型：1个N沟道

输入电容：4pF@15V

ECCN：EAR99

功率：225mW

漏源电压：35V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS84LT1G

阈值电压：2V@250µA

输入电容：30pF@5V

导通电阻：10Ω@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

类型：P沟道

工作温度：-55℃~150℃

漏源电压：50V

功率：225mW

连续漏极电流：130mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BVSS138LT1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：225mW

阈值电压：1.5V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：3.5Ω@5V，200mA

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBF4416A

反向传输电容：0.8pF@15V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~+150℃

类型：1个N沟道

输入电容：4pF@15V

ECCN：EAR99

功率：225mW

漏源电压：35V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SBSS84LT1G

导通电阻：10Ω@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-55℃~150℃

输入电容：36pF@5V

漏源电压：50V

连续漏极电流：130mA

阈值电压：2V@250µA

类型：P沟道

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.2nC@10V

功率：225mW

包装清单：商品主体 * 1