品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2,"21+":1937}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6304P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:460mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
输入电容:62pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
输入电容:500pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6305N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6333C
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
类型:N和P沟道
连续漏极电流:2.5A€2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3028N
连续漏极电流:3.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:68mΩ@3.8A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:375pF@15V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6303N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD2104PTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:467pF@6V
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":21000}
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1157pF@6V
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3601N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:153pF@50V
连续漏极电流:1A
导通电阻:500mΩ@1A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:100V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":16318}
规格型号(MPN):NTLJD2104PTAG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:467pF@6V
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7001C
输入电容:20pF@25V€66pF@25V
导通电阻:2Ω@510mA,10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:510mA€340mA
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3023PZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V
输入电容:530pF@15V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6305N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":354,"22+":14000}
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7003P
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@340mA,10V
输入电容:66pF@25V
连续漏极电流:340mA
漏源电压:60V
功率:700mW
阈值电压:3.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":21000}
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1157pF@6V
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3468}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6320C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
类型:N和P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
连续漏极电流:220mA€120mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1032CZ
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.7A€3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":75000}
规格型号(MPN):FDC6304P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:460mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
输入电容:62pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6321C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6306P
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:441pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
连续漏极电流:2.7A€1.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存: