品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
导通电阻:9mΩ@10V,35A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:1.26nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:750pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:55W
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:180mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:33nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1260pF@15V
功率:55W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12.6A€55A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
导通电阻:9mΩ@10V,35A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:1.26nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:85A
功率:55W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8.2nC@4.5V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:85A
功率:55W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:750pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:55W
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:180mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2490}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: