品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.8V@250μA
导通电阻:65mΩ@10V,5A
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
输入电容:632pF@50V
功率:3W
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
输入电容:632pF@50V
功率:3W
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010DC
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@37A,10V
功率:3W
输入电容:7080pF@15V
栅极电荷:94nC@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
功率:3W
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:205pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:205pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT457N
输入电容:235pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:60mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
阈值电压:3V@250μA
功率:3W
栅极电荷:5.9nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1205pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
功率:3W
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
输入电容:632pF@50V
功率:3W
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:205pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055
输入电容:250pF@30V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:15nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:100mΩ@4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:3W
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.3A
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
输入电容:500pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
功率:3W
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.3A
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6294
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1205pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
功率:3W
导通电阻:11.3mΩ@13A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.8V@250μA
导通电阻:65mΩ@10V,5A
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:3.5nC@10V
输入电容:205pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014L
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
栅极电荷:5nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:3W
ECCN:EAR99
输入电容:214pF@30V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.8V@250μA
导通电阻:65mΩ@10V,5A
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: