品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8090
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
输入电容:1800pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":22000}
规格型号(MPN):FW274-TL-E
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@1mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:490pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
输入电容:11130pF@30V
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:60V
输入电容:11130pF@30V
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
连续漏极电流:22A€93A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
输入电容:11130pF@30V
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":22000}
规格型号(MPN):FW274-TL-E
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@1mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:490pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD86100
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2060pF@50V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
栅极电荷:4nC@10V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:236mΩ@2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:215pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1394,"23+":2798,"MI+":2811}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD85100
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2230pF@50V
类型:2个N通道(半桥)
连续漏极电流:10.4A
导通电阻:9.9mΩ@10.4A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86244
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:128mΩ@2.8A,10V
类型:1个N沟道
输入电容:395pF@75V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
连续漏极电流:6.6A
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
反向传输电容:7.5pF@50V
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.49nF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
连续漏极电流:6.6A
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
反向传输电容:7.5pF@50V
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.49nF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86244
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:128mΩ@2.8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":22000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
工作温度:150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3158,"22+":1403}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3158,"22+":1403}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1394,"23+":2798,"MI+":2811}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD85100
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@50V
连续漏极电流:10.4A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.9mΩ@10.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: