采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
功率：3.9W€200W
输入电容：8900pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
功率：3.9W€200W
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：53A€378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT3G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
功率：3.9W€200W
输入电容：8900pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFAFT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：53A€378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：53A€378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：53A€378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G-UIL3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
功率：3.9W€200W
输入电容：8900pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：189381}
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：53A€378A
栅极电荷：128nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：8400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D6N03CT1G
导通电阻：0.62mΩ@30A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@280µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：10500pF@15V
功率：3.9W€200W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：60A€433A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G-UIL3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
功率：3.9W€200W
输入电容：8900pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：189381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：189381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：189381}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D6N03CT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2.2V@280µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@15V
连续漏极电流：60A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
