品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1838
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP13N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NJD35N04G
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):4A
功率:45W
集电集截止电流(Icbo):50µA
特征频率:90MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,2A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@2A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NJD35N04G
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):4A
功率:45W
集电集截止电流(Icbo):50µA
特征频率:90MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,2A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@2A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1838
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP13N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1838
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP13N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@6.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NJD35N04G
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):4A
功率:45W
集电集截止电流(Icbo):50µA
特征频率:90MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@2A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
栅极电荷:152nC@10V
功率:45W
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
阈值电压:4V@700µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP7P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:410mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
栅极电荷:152nC@10V
功率:45W
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
栅极电荷:152nC@10V
功率:45W
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
阈值电压:4V@700µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF7P20
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:5.2A
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:770pF@25V
类型:P沟道
包装方式:管件
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NJD35N04G
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):4A
功率:45W
集电集截止电流(Icbo):50µA
特征频率:90MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@2A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF7P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:690mΩ@2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: