品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":12000,"12+":1666}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"MI+":15999}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"04+":6000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"12+":133500}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:408mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"04+":6000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"15+":12000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":48000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":36000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:408mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":76000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
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输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"04+":20000,"06+":48000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":40000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"06+":40000}
输入电阻:47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
功率:230mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:187mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
输入电阻:4.7千欧
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"01+":2886,"04+":3000}
销售单位:个
输入电阻:47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
功率:150mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: