采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB12P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€120W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@5.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：895，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF5P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@1.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：1600，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2614
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7230pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@31A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP52N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB19N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€140W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：19.4A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@9.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
