采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000，"9999"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000，"9999"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：27A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：27A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：27A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：27A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C442NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€130A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
