品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BXL4004-1E
工作温度:150℃
功率:75W
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BXL4004-1E
工作温度:150℃
功率:75W
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
输入电容:24740pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:450nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9507L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9507L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BXL4004-1E
工作温度:150℃
功率:75W
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BXL4004-1E
工作温度:150℃
功率:75W
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: