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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€61W

    阈值电压:2.4V@420µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:11.3A€49A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS014P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS014P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4685 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4685 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1872pF@20V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€75W

    阈值电压:2.4V@580µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2312pF@20V

    连续漏极电流:13A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€44.1W

    阈值电压:2.4V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1058pF@20V

    连续漏极电流:9.4A€34.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4685 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4685 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1872pF@20V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}

    包装规格(MPQ):700psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1350-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€75W

    阈值电压:2.4V@580µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2312pF@20V

    连续漏极电流:13A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS014P04M8LTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS014P04M8LTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€88W

    阈值电压:3V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16900pF@25V

    连续漏极电流:10.4A€53A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP108-TL-H 起订488个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP108-TL-H 起订488个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1978}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP108-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3850pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€44.1W

    阈值电压:2.4V@255µA

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1058pF@20V

    连续漏极电流:9.4A€34.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订617个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订617个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10000,"9999":1890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4141-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2775pF@20V

    连续漏极电流:10.8A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@12.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€44.1W

    阈值电压:2.4V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1058pF@20V

    连续漏极电流:9.4A€34.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4141-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4141-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2005pF@20V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€61W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:11.3A€49A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:8.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS052P04M8LTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS052P04M8LTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS052P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W€23W

    阈值电压:2.4V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@20V

    连续漏极电流:4.7A€13.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:69mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€75W

    阈值电压:2.4V@580µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2312pF@20V

    连续漏极电流:13A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS025P04M8LTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS025P04M8LTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€44.1W

    阈值电压:3V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:9.4A€32A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€61W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:11.3A€49A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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