品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:11.3A€49A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1350-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@9.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€88W
阈值电压:3V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16900pF@25V
连续漏极电流:10.4A€53A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000,"9999":1890}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€69W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775pF@20V
连续漏极电流:10.8A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685-F085P
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2005pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:11.3A€49A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS052P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:2.4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@20V
连续漏极电流:4.7A€13.2A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€44.1W
阈值电压:3V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:11.3A€49A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: