采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76633P3-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：145W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1820pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@39A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86108LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：163pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：243mΩ@2.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：285pF@50V
连续漏极电流：4.2A€5.5A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@4.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86151L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
