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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 工业
    漏源电压: 100V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:3100+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€291W

    阈值电压:4V@650µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7630pF@50V

    连续漏极电流:36A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB55N10TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB55N10TM

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.75W(Ta),155W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:98 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730 pF @ 25 V

    连续漏极电流:55A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86183 起订532个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86183 起订532个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86183

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@50V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS012N10MDTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS012N10MDTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€62W

    阈值电压:4V@78µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:9.2A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4065pF@50V

    连续漏极电流:16A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4065pF@50V

    连续漏极电流:16A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@50V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86183 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86183 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86183

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@50V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86180 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86180 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86180

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:138W

    阈值电压:4V@370µA

    栅极电荷:54nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6215pF@50V

    连续漏极电流:151A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@67A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€36W

    阈值电压:3V@26µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT1600N10ALZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.42W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@50V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 1HP04CH-TL-W 起订834个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HP04CH-TL-W 起订834个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":23202}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HP04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14pF@20V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:18Ω@80mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86183 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86183 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86183

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:14nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@50V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4665pF@50V

    连续漏极电流:16A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€291W

    阈值电压:4V@650µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7630pF@50V

    连续漏极电流:36A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86181 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86181 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86181

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4125pF@50V

    连续漏极电流:44A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:3V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645S3ST 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645S3ST 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75645S3ST

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:310W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:238 nC @ 20 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3790 pF @ 25 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14 毫欧 @ 75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8622 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8622

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:402pF@50V

    连续漏极电流:4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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