采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
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输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
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栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
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导通电阻：125mΩ@10V，11A
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
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功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
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功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3690
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功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FDD3690
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阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：22A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
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导通电阻：125mΩ@10V，11A
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类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
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连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3690
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功率：3.8W€60W
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类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
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类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，11A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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