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    漏源电压
    25V
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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 工业
    漏源电压: 25V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:400+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-1G 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"03+":1445,"04+":1534,"05+":44100,"06+":30270,"07+":230625,"08+":139,"10+":3000,"9999":4900,"MI+":11653}

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):NTD60N02R-1G

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:14nC@4.5V

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:8.5A€32A

    功率:1.25W€58W

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    输入电容:115pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    功率:1.04W€20.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4854NST3G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4854NST3G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"11+":14828}

    规格型号(MPN):NTMFS4854NST3G

    输入电容:4830pF@12V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:900mW€86.2W

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@11.5V

    漏源电压:25V

    连续漏极电流:15.2A€149A

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7556S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7556S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":21000}

    规格型号(MPN):FDMS7556S

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:25V

    输入电容:8965pF@13V

    连续漏极电流:35A€49A

    功率:2.5W€96W

    导通电阻:1.2mΩ@35A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}

    规格型号(MPN):FDMC7570S

    功率:2.3W€59W

    输入电容:4410pF@13V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:25V

    栅极电荷:68nC@10V

    导通电阻:2mΩ@27A,10V

    连续漏极电流:27A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7570S

    功率:2.3W€59W

    输入电容:4410pF@13V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:25V

    栅极电荷:68nC@10V

    导通电阻:2mΩ@27A,10V

    连续漏极电流:27A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4409NT1G 起订600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4409NT1G 起订600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4409NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    漏源电压:25V

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NT4G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NT4G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"14+":28813,"08+":4320,"10+":65000,"11+":41442,"16+":22500,"12+":2500,"13+":11350,"15+":5000}

    规格型号(MPN):NTD4863NT4G

    功率:1.27W€36.6W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.2A€49A

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    输入电容:990pF@12V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2D8N025S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2D8N025S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2D8N025S

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@28A,10V

    阈值电压:3V@1mA

    连续漏极电流:124A

    漏源电压:25V

    功率:47W

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:4615pF@13V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}

    规格型号(MPN):FDMC7570S

    功率:2.3W€59W

    输入电容:4410pF@13V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:25V

    栅极电荷:68nC@10V

    导通电阻:2mΩ@27A,10V

    连续漏极电流:27A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}

    规格型号(MPN):FDMC7570S

    功率:2.3W€59W

    输入电容:4410pF@13V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:25V

    栅极电荷:68nC@10V

    导通电阻:2mΩ@27A,10V

    连续漏极电流:27A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7572S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7572S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7572S

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:25V

    连续漏极电流:23A€49A

    导通电阻:2.9mΩ@23A,10V

    输入电容:2780pF@13V

    功率:2.5W€46W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4H01NFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4H01NFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4H01NFT1G

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.2W€125W

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:5538pF@12V

    连续漏极电流:54A€334A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订902个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订902个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:10.4A€65A

    输入电容:1308pF@12V

    功率:1.28W€50W

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    输入电容:115pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    功率:1.04W€20.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7572S 起订294个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7572S 起订294个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"MI+":2608}

    规格型号(MPN):FDMC7572S

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2705pF@13V

    连续漏极电流:22.5A€40A

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:25V

    导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:2.3W€52W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R-001 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R-001 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03R-001

    栅极电荷:13.2nC@5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:10A€32A

    漏源电压:25V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:管件

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    输入电容:1333pF@20V

    功率:1.36W€62.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4H05NTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4H05NTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":217616}

    规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    导通电阻:3.3mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:18.9nC@10V

    功率:2.66W€46.3W

    输入电容:1205pF@12V

    连续漏极电流:22.4A€94A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV301N 起订900个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV301N 起订900个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV301N

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.06V@250µA

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    输入电容:9.5pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS1D2N02P1E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS1D2N02P1E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS1D2N02P1E

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    连续漏极电流:23A€180A

    阈值电压:2V@934µA

    输入电容:4040pF@13V

    导通电阻:1mΩ@38A,10V

    功率:820mW€52W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV303N 起订70个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV303N 起订70个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV303N

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    连续漏极电流:680mA

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":10425}

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):NTD4855N-1G

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:14A€98A

    漏源电压:25V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:2950pF@12V

    包装方式:管件

    功率:1.35W€66.7W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}

    规格型号(MPN):FDMC7570S

    功率:2.3W€59W

    输入电容:4410pF@13V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:25V

    栅极电荷:68nC@10V

    导通电阻:2mΩ@27A,10V

    连续漏极电流:27A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV301N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV301N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:21+

    规格型号(MPN):FDV301N

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.06V@250µA

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    输入电容:9.5pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    输入电容:115pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    连续漏极电流:2.5A

    功率:1.04W€20.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NA-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NA-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    生产批次:{"08+":12881}

    规格型号(MPN):NTD4858NA-35G

    连续漏极电流:11.2A€73A

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    输入电容:1563pF@12V

    功率:1.3W€54.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS1D8N02P1E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS1D8N02P1E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":18000}

    规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    导通电阻:1.3mΩ@30A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    连续漏极电流:20A€152A

    阈值电压:2V@700µA

    输入电容:3159pF@13V

    功率:800mW€48W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8796 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8796 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8796

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:2610pF@13V

    漏源电压:25V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:52nC@10V

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    功率:88W

    连续漏极电流:35A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4409NT1G 起订21个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4409NT1G 起订21个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4409NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    漏源电压:25V

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDV303N 起订24000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDV303N 起订24000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDV303N

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    连续漏极电流:680mA

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:50pF@10V

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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