采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），37W（Tc）
阈值电压：2V @ 25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Ta），36A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
导通电阻：94mΩ@6A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
功率：1.5W€48W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
输入电容：492pF@25V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.7A
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
栅极电荷：14.3nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
阈值电压：4V@1mA
功率：1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1639
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
功率：3.2W€40W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
输入电容：1258pF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
包装方式：卷带（TR）
功率：3W（Ta）
栅极电荷：11 nC @ 10 V
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：2.7A（Ta）
输入电容：155 pF @ 25 V
阈值电压：4V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：36A€235A
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
连续漏极电流：20A€50A
输入电容：6435pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W€96W
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS3D7N06HLTWG
输入电容：2383pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@120µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A€103A
漏源电压：60V
栅极电荷：32.7nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C628NT1G
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A€150A
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：4V@135µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2630pF@30V
导通电阻：3mΩ@27A，10V
功率：3.7W€110W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：1596，"22+"：16939，"MI+"：3727}
规格型号(MPN)：NDT014
包装方式：卷带（TR）
功率：3W（Ta）
栅极电荷：11 nC @ 10 V
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
连续漏极电流：2.7A（Ta）
输入电容：155 pF @ 25 V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
输入电容：1350pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：115W
连续漏极电流：10.9A€62A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@25V
阈值电压：2V@180µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：3.9W€134W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：31A€185A
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLWFT1G
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：8.1A€21A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
阈值电压：2.2V@13µA
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
ECCN：EAR99
功率：3.4W€24W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
输入电容：440pF@25V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：15nC@5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：1.3W
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1015pF@25V
导通电阻：46mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.88W€60W
栅极电荷：30nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
连续漏极电流：32A€155A
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
栅极电荷：154nC@10V
输入电容：11530pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NLAFT1G
栅极电荷：91nC@10V
连续漏极电流：38A€250A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：280mA
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
功率：250mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLWFAFT1G
功率：61W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
阈值电压：2V@53µA
类型：N沟道
连续漏极电流：17A€71A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：6nC@10V
类型：P沟道
输入电容：250pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：260mΩ@3A，10V
功率：3W€18W
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
连续漏极电流：18A€56A
漏源电压：60V
栅极电荷：88nC@10V
功率：2.3W€54W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：6705pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
连续漏极电流：32A€245A
栅极电荷：154nC@10V
功率：3.3W€187W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
输入电容：6655pF@30V
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
连续漏极电流：240A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS7002A
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
连续漏极电流：280mA
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NT1G-TE
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@25V
栅极电荷：60.2nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：35A€230A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
功率：3.8W€170W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：945pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：22.7A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
