品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF035N06B-F154
连续漏极电流:88A
导通电阻:3.5mΩ@88A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:8030pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:46.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP27P06
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
功率:120W
输入电容:1400pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF76423P3
功率:85W(Tc)
栅极电荷:34 nC @ 10 V
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:1060 pF @ 25 V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:35A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:55A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1510pF@25V
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5426NG
功率:215W
输入电容:5800pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP50N06
输入电容:2020pF@25V
功率:131W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@20V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:22mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP50N06
输入电容:2020pF@25V
功率:131W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@20V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:22mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":3148}
规格型号(MPN):NTD24N06-1G
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:1200pF@25V
ECCN:EAR99
功率:1.36W€62.5W
导通电阻:42mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP27P06
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
功率:120W
输入电容:1400pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1701}
规格型号(MPN):NTP5864NG
功率:107W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:63A
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP030N06
阈值电压:4.5V@250µA
功率:231W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2076,"10+":7245}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150-1G
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:280pF@25V
功率:1.5W€28.8W
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
栅极电荷:220nC@10V
输入电容:12500pF@20V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP030N06
阈值电压:4.5V@250µA
功率:231W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP47P06
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3600pF@25V
功率:160W
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP27P06
导通电阻:70mΩ@13.5A,10V
功率:120W
输入电容:1400pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3175}
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD32N06-1G
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:26mΩ@16A,10V
包装方式:管件
功率:1.5W€93.75W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1725pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:21+
规格型号(MPN):FQP20N06
连续漏极电流:20A
导通电阻:60mΩ@10A,10V
输入电容:590pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP5800
功率:242W
导通电阻:6mΩ@80A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
输入电容:9160pF@15V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:14A€80A
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP50N06
输入电容:2020pF@25V
功率:131W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:150nC@20V
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:22mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF47P06
栅极电荷:110nC@10V
功率:62W
输入电容:3600pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:26mΩ@15A,10V
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
栅极电荷:80nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:18A€80A
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.9nF@25V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:5mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1701}
规格型号(MPN):NTP5864NG
功率:107W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:63A
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):RFP70N06
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
栅极电荷:156nC@20V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:14mΩ@70A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NDP6060L
输入电容:2nF@25V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:60nC@5V
导通电阻:20mΩ@10V,24A
包装方式:管件
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:48A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4000}
规格型号(MPN):FDI030N06
阈值电压:4.5V@250µA
功率:231W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP5800
功率:242W
导通电阻:6mΩ@80A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
输入电容:9160pF@15V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:14A€80A
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5426NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: