采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：107mΩ@8A，5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
输入电容：350pF@25V
栅极电荷：11.3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
连续漏极电流：115mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
输入电容：1.35nF@25V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
功率：90W
栅极电荷：62nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：47mΩ@16A，5V
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS021N06CLTWG
导通电阻：21mΩ@10A，10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：410pF@25V
功率：28W€3.8W
栅极电荷：5nC@10V
连续漏极电流：9.8A€27A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@16μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
输入电容：1.35nF@25V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
功率：90W
栅极电荷：62nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：47mΩ@16A，5V
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
栅极电荷：91nC@10V
连续漏极电流：36A€235A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
输入电容：6.66nF@25V
功率：3.8W€166W
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：107mΩ@8A，5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
栅极电荷：11.3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：625mW
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NT1G
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：4.5mΩ
功率：3.7W€80W
栅极电荷：20.4nC@10V
连续漏极电流：20A€94A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：1.51nF@25V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
栅极电荷：91nC@10V
连续漏极电流：36A€235A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
输入电容：6.66nF@25V
功率：3.8W€166W
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：320mA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：700pC@4.5V
漏源电压：60V
输入电容：24.5pF@20V
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
功率：49W
栅极电荷：15nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：485pF@25V
导通电阻：63mΩ@10V，18A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
连续漏极电流：115mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
输入电容：1.35nF@25V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
功率：90W
栅极电荷：62nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：47mΩ@16A，5V
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB050AN06A0
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：80nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：18A€80A
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
输入电容：3.9nF@25V
导通电阻：5mΩ@10V，80A
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：107mΩ@8A，5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
输入电容：350pF@25V
栅极电荷：11.3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
连续漏极电流：13A€48A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@40μA
栅极电荷：13.7nC@10V
导通电阻：10mΩ@8A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：625mW
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：8，"22+"：34970}
规格型号(MPN)：2N7000BU
功率：400mW
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：320mA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：700pC@4.5V
漏源电压：60V
输入电容：24.5pF@20V
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
