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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 工业
    漏源电压: 60V
    类型: 2N沟道(双)
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:280mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5485NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5485NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":1500}

    规格型号(MPN):NVMFD5485NLWFT1G

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:44mΩ@15A,10V

    输入电容:560pF@25V

    连续漏极电流:5.3A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:250mW

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:250mW

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW-G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW-G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-G

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:115mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC89521L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC89521L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC89521L

    输入电容:1635pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:8.2A

    漏源电压:60V

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    功率:1.9W€16W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT2G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:250mW

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:250mW

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G 起订214个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G 起订214个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    功率:3W€57.5W

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:2V@50µA

    连续漏极电流:15.5A€68A

    漏源电压:60V

    输入电容:1440pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:15A

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    功率:1W

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:5245pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:1W

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:3.5A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:420pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    功率:3W€57.5W

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:2V@50µA

    连续漏极电流:15.5A€68A

    漏源电压:60V

    输入电容:1440pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":79500}

    规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3W€57.5W

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:1440pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:15.5A€68A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G 起订375个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G 起订375个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    功率:3W€37W

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:2.2V@25µA

    漏源电压:60V

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002VA 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002VA 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002VA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:280mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订92个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订92个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":750}

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLWFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLWFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C680NLWFT1G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:7.5A€26A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@13µA

    功率:3W€19W

    ECCN:EAR99

    输入电容:350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFD9D0N06HLTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFD9D0N06HLTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":2935,"23+":5115,"24+":5577}

    规格型号(MPN):NTTFD9D0N06HLTWG

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A€38A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:948pF@30V

    导通电阻:9mΩ@10A,10V

    功率:1.7W€26W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:21A€111A

    输入电容:2546pF@25V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002VA 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002VA 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"17+":114876}

    规格型号(MPN):2N7002VA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:280mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    功率:3W€37W

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD5121NT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD5121NT1G

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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