品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":1500}
规格型号(MPN):NVMFD5485NLWFT1G
包装方式:卷带(TR)
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@15A,10V
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:5.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.2V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.2V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-G
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:115mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC89521L
输入电容:1635pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8.2A
漏源电压:60V
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
功率:1.9W€16W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.2V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD5121NT2G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD5121NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
功率:3W€57.5W
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15.5A€68A
漏源电压:60V
输入电容:1440pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8260L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15A
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
功率:1W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:5245pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.2V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:1W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.5A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:420pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
功率:3W€57.5W
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15.5A€68A
漏源电压:60V
输入电容:1440pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.2V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":79500}
规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€57.5W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:1440pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.5A€68A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
功率:3W€37W
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@25µA
漏源电压:60V
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002VA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":750}
规格型号(MPN):FDMD8260L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:5245pF@30V
连续漏极电流:15A
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C680NLWFT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
连续漏极电流:7.5A€26A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@13µA
功率:3W€19W
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2935,"23+":5115,"24+":5577}
规格型号(MPN):NTTFD9D0N06HLTWG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A€38A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:948pF@30V
导通电阻:9mΩ@10A,10V
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
连续漏极电流:21A€111A
输入电容:2546pF@25V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":114876}
规格型号(MPN):2N7002VA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
功率:3W€37W
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD5121NT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: