采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFME3N311ZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：478000，"11+"：15000，"12+"：2729975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：22545，"07+"：39000，"08+"：290345，"12+"：1333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4160NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：478000，"11+"：15000，"12+"：2729975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：22545，"07+"：39000，"08+"：290345，"12+"：1333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4160NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFME3N311ZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFME3N311ZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4160NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：2.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
