品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}
规格型号(MPN):FDC2512-P
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
输入电容:344pF@75V
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:77mΩ@12A,10V
输入电容:765pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
功率:3.2W€113W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A€72A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:9mΩ@13A,10V
栅极电荷:83nC@10V
输入电容:5875pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8097AC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:395pF@75V€230pF@75V
漏源电压:150V
类型:N和P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:155mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A€900mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86262P
栅极电荷:13nC@10V
连续漏极电流:2A€8.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@75V
功率:2.3W€40W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:307mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
栅极电荷:6.3nC@10V
输入电容:335pF@75V
导通电阻:228mΩ@2A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:1335pF@75V
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
连续漏极电流:4.4A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
栅极电荷:4nC@10V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:236mΩ@2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:215pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86261P
包装方式:卷带(TR)
功率:2.3W€40W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.7A€9A
导通电阻:160mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
输入电容:1360pF@75V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:1130pF@75V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":213,"22+":6000}
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:31mΩ@13A,10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:2.5W€62.5W
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:4.5V@70µA
连续漏极电流:6.1A€31A
输入电容:905pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
功率:3.2W€113W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A€72A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:9mΩ@13A,10V
栅极电荷:83nC@10V
输入电容:5875pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8097AC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:395pF@75V€230pF@75V
漏源电压:150V
类型:N和P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:155mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A€900mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":3935,"22+":2927}
规格型号(MPN):FDMS8D8N15C
功率:2.7W€132W
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:12.2A€85A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3600pF@75V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:8.8mΩ@45A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:51mΩ@4.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:905pF@75V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.6A€16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:77mΩ@12A,10V
输入电容:765pF@75V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
栅极电荷:6.3nC@10V
输入电容:335pF@75V
导通电阻:228mΩ@2A,10V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":54341,"23+":1860}
规格型号(MPN):FDMT800150DC
输入电容:8205pF@75V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6.5mΩ@15A,10V
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
漏源电压:150V
连续漏极电流:15A€99A
栅极电荷:108nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:1335pF@75V
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
连续漏极电流:4.4A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: