品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
栅极电荷:14.5nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:65W
导通电阻:120mΩ@10V,4A
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP011N15MC
连续漏极电流:74.3A
栅极电荷:37nC
漏源电压:150V
导通电阻:10.9mΩ
包装方式:管件
阈值电压:4.5V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136.4W
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
栅极电荷:14.5nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:65W
导通电阻:120mΩ@10V,4A
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:16+
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
栅极电荷:14.5nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:65W
导通电阻:120mΩ@10V,4A
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
栅极电荷:14.5nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:65W
导通电阻:120mΩ@10V,4A
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
类型:1个N沟道
连续漏极电流:135A
漏源电压:150V
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
功率:245W
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@379μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
栅极电荷:53nC@10V
漏源电压:150V
功率:2.4W€166W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
阈值电压:4.5V@342μA
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
类型:1个N沟道
连续漏极电流:135A
漏源电压:150V
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
功率:245W
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@379μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBGS6D5N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:57nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:121A
类型:MOSFET
导通电阻:7mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBGS6D5N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:57nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:121A
类型:MOSFET
导通电阻:7mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: