采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：87000，"14+"：5980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：87000，"14+"：5980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1431-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W€15W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1431-W
工作温度：150℃
功率：1W€15W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3455-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@1.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6444-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@1.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1501}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6635
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：15A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6635
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€55W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：15A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：87000，"14+"：5980}
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
输入电容：960pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
漏源电压：35V
导通电阻：17mΩ@5A，10V
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：700psc
规格型号(MPN)：SFT1431-TL-W
输入电容：960pF@20V
导通电阻：25mΩ@5.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.6V@1mA
类型：N沟道
漏源电压：35V
功率：1W€15W
栅极电荷：17.3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@1mA
类型：N沟道
漏源电压：35V
栅极电荷：10nC@10V
导通电阻：37mΩ@3A，10V
功率：1.6W
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3455-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@1.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：642636}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3455-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@1.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1501}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6635
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：15A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1501}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6635
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：15A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
