采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
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输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
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输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
