品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:75A
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导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
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连续漏极电流:75A
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导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
栅极电荷:475nC@20V
类型:1个N沟道
功率:515W
连续漏极电流:75A
导通电阻:8mΩ@75A,10V
输入电容:7.585nF@25V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75652G3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:515W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:475nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7.585nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":104,"21+":1158,"22+":47996,"23+":1600,"MI+":2400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.96nF@40V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":104,"21+":1158,"22+":47996,"23+":1600,"MI+":2400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.96nF@40V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":104,"21+":1158,"22+":47996,"23+":1600,"MI+":2400}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:75A
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:5.96nF@40V
包装方式:管件
功率:146W
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75345S3ST
包装方式:卷带(TR)
功率:325W
类型:1个N沟道
连续漏极电流:75A
栅极电荷:275nC@20V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:4nF@25V
漏源电压:55V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:7mΩ@75A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: