采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3500}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2280，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：101}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3500}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：101}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
