采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2488}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBV5605T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@8.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBV5605T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@8.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2488}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
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连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：59，"24+"：450}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2488}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：59，"24+"：450}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：FQA19N60
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：3600pF@25V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@9.3A，10V
连续漏极电流：18.5A
包装方式：管件
功率：300W
漏源电压：600V
栅极电荷：90nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
