采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1590，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC008N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14，"22+"：42}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1590，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC008N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4814，"MI+"：2733}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC008N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1590，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC008N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB60N06T4G
功率：2.4W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1590，"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC008N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4059，"03+"：32500，"04+"：10000，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14，"22+"：42}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1789pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC008N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@120µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
