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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：17400，"17+"：3075}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N550U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N550U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N550U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
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生产批次：{"14+"：17400，"17+"：3075}
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阈值电压：4V@250µA
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规格型号(MPN)：NDD60N550U1-1G
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功率：94W
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：NDD60N550U1-35G
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ECCN：EAR99
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规格型号(MPN)：NDD60N550U1-35G
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工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
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栅极电荷：18nC@10V
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连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
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功率：94W
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类型：N沟道
连续漏极电流：8.2A
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功率：94W
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类型：N沟道
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包装方式：管件
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