采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3118}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200E
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200E
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200E
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3118}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200E
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3118}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200E
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3118}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200E
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2715pF@75V
功率：2.5W€104W
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200E
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200E
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A€35A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86200
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2715pF@75V
连续漏极电流：9.6A€35A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
