采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5547，"21+"：368，"22+"：2450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC653N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8018
功率：83W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：175A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：198309，"23+"：8000，"24+"：8000，"MI+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC855N
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@10V，6.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
