采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：345pF@25V
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
阈值电压：2V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：345pF@25V
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
