品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
输入电容:150pF@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:3.5nC@4V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:224mA
输入电容:15.8pF@15V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
功率:120mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17.8nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:1540pF@16V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS3157NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4A,4.5V
输入电容:500pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17.8nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:1540pF@16V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS0K8N021ZTCG
功率:125mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:12.3pF@15V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1080pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9.5A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:224mA
输入电容:15.8pF@15V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
功率:120mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17.8nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:1540pF@16V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
输入电容:150pF@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:3.5nC@4V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1080pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9.5A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":48000}
规格型号(MPN):NTNS3164NZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
类型:N沟道
连续漏极电流:361mA
导通电阻:700mΩ@200mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:24pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
输入电容:150pF@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:3.5nC@4V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:427pF@15V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:710mW
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVSF2N02ELT1G
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
输入电容:150pF@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:3.5nC@4V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:14nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9.5A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:224mA
输入电容:15.8pF@15V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
功率:120mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:427pF@15V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:710mW
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS0K8N021ZTCG
功率:125mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:12.3pF@15V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3164NZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
类型:N沟道
连续漏极电流:361mA
导通电阻:700mΩ@200mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:24pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: