品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NLT1G-UIL5
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:36A€235A
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"03+":1445,"04+":1534,"05+":44100,"06+":30270,"07+":230625,"08+":139,"10+":3000,"9999":4900,"MI+":11653}
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD60N02R-1G
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:14nC@4.5V
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:8.5A€32A
功率:1.25W€58W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:15nC@5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:1.3W
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7N20LTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
导通电阻:750mΩ@2.75A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
功率:2.5W€45W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C612NLAFT1G
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:38A€250A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2年内
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:4300pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
漏源电压:40V
功率:3.8W€110W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
输入电容:2164pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.7W€79W
栅极电荷:33.7nC@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:4300pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:38A€200A
功率:3.8W€110W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":4943}
规格型号(MPN):NILMS4501NR2
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
漏源电压:24V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1500pF@6V
连续漏极电流:9.5A
导通电阻:13mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:150A
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:3100pF@20V
功率:3.7W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10LTM
栅极电荷:18nC@5V
输入电容:870pF@25V
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":28500}
规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:49.4nC@10V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
连续漏极电流:13A€93A
功率:930mW€48W
输入电容:4850pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C638NLT1G
输入电容:2880pF@25V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:26A€133A
功率:4W€100W
类型:N沟道
栅极电荷:40.7nC@10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€139W
栅极电荷:143nC@10V
连续漏极电流:46A€302A
ECCN:EAR99
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:52nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:287A
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:27A€130A
漏源电压:40V
栅极电荷:50nC@10V
功率:3.1W€69W
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":11830}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD110N02RT4
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:3440pF@20V
功率:1.5W€110W
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
连续漏极电流:12.5A€110A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":7179}
规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:38A€250A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:15nC@5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:1.3W
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT3G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H414NLT1G
连续漏极电流:35A€210A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:3.1W€110W
输入电容:4550pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: