品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@45µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
功率:3.2W€68W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@45µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
功率:3.2W€68W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@45µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
功率:3.2W€68W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":7971}
规格型号(MPN):FQU3N50CTU
栅极电荷:13nC@10V
漏源电压:500V
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:365pF@25V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
输入电容:965pF@50V
阈值电压:4V@78µA
连续漏极电流:9.2A€45A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@45µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
输入电容:760pF@40V
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@45µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
功率:3.2W€68W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:1.6W
导通电阻:23mΩ@7A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2年内
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: